根據(jù)喆能公司多年的電磁加熱技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，對(duì)中高頻感應(yīng)電源的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行初步分析，希望對(duì)行業(yè)的發(fā)展和市場(chǎng)的應(yīng)用能起到一定的幫助。

（1）以晶閘管為主功率器件的中頻感應(yīng)電源仍然不會(huì)退出歷史舞臺(tái)，仍將壟斷大功率(幾千千瓦以上)的中頻電源領(lǐng)域，將是10噸、12噸、20噸煉鋼或保溫等場(chǎng)合使用的主流設(shè)備。

（2）小功率晶閘管中頻電源(功率容量小于1000kW)的將隨著對(duì)效率及煉鋼質(zhì)量的要求不斷提高，而逐漸減小使用量，但它們?cè)诖慊稹澒艿阮I(lǐng)域仍將使用一段時(shí)間。

（3）主功率器件為IGCT及GTO的感應(yīng)加熱用中頻感應(yīng)電源將與主功率器件為晶閘管的中頻電源展開(kāi)激烈的競(jìng)爭(zhēng)并逐漸縮小前者的市場(chǎng)份額。

（4）中高頻(頻率高于10kHz~30kHz)領(lǐng)域使用的中頻電源將以IGBT為主要器件，其單機(jī)容量將隨著IGBT自身容量的不斷擴(kuò)大而不斷擴(kuò)大，并獲得越來(lái)越大的使用范圍。隨著嵌入式系統(tǒng)在感應(yīng)電源中的控制技術(shù)不斷成熟，可以預(yù)見(jiàn)模塊化、數(shù)字化、智能化的IGBT感應(yīng)電源將是未來(lái)的主流產(chǎn)品。

（5）高頻(頻率高于100kHz)領(lǐng)域的感應(yīng)加熱電源將以MOSFET為主要器件，伴隨著MOSFET制造工藝的不斷進(jìn)步和突破以MOSFET為主功率器件的高頻電源將獲得廣泛的應(yīng)用，產(chǎn)品的容量將不斷擴(kuò)大。

（6）感應(yīng)加熱用中頻電源的冷卻技術(shù)將獲得較大突破，將解決水冷方式對(duì)使用者帶來(lái)的漏水，水質(zhì)處理等不便，但這之間也許要經(jīng)過(guò)很長(zhǎng)的時(shí)間積累和產(chǎn)品完善。

（7）感應(yīng)加熱用中頻電源的配套件將不斷進(jìn)步，更加標(biāo)準(zhǔn)化、更系列化，給中頻感應(yīng)電源的制造和維修帶來(lái)更大的方便。

（8）感應(yīng)加熱用中頻電源的單機(jī)功率容量將不斷擴(kuò)大，有望突破10MW，其工作頻率將越來(lái)越高。

（9）與感應(yīng)加熱用中高頻電源配套的限制電網(wǎng)干擾，保證電網(wǎng)綠色化的EMI抑制技術(shù)，功率因數(shù)校正技術(shù)將獲得廣泛應(yīng)用，并進(jìn)一步改善中高頻感應(yīng)加熱電源的輸出波形和效率。

（10）SIT及SITH這些器件將在我國(guó)中高頻電源領(lǐng)域獲得應(yīng)用并填補(bǔ)我國(guó)至今沒(méi)有自行開(kāi)發(fā)應(yīng)用這些器件制作的中高頻感應(yīng)加熱電源的空白。

（11）中高頻感應(yīng)加熱電源的起動(dòng)方式，控制技術(shù)將再獲得突破，并進(jìn)一步提高這類電源的性能，采用新型控制技術(shù)的中頻電源將獲得大范圍應(yīng)用。

因此，感應(yīng)加熱用中高頻電源是我國(guó)工業(yè)生產(chǎn)中必用的設(shè)備，我國(guó)從事這類電源的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)已有幾十年的歷史，其發(fā)展水平仍需提高，其中中頻段的電磁感應(yīng)加熱技術(shù)，尤其是全數(shù)字化智能感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展更是尤為重要。